5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NAND02GW4B2CZA6F
NAND02GW4B2CZA6F PDF预览

NAND02GW4B2CZA6F

更新时间： 2024-11-16 04:57:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储
页数 文件大小 规格书
60页 1343K
描述
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

NAND02GW4B2CZA6F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：63
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.42
最长访问时间：25000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
JESD-609代码：e1长度：12 mm
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：63字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：9.5 mm
Base Number Matches：1

NAND02GW4B2CZA6F 数据手册

 浏览型号NAND02GW4B2CZA6F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NAND02GW4B2CZA6F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NAND02GW4B2CZA6F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NAND02GW4B2CZA6F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NAND02GW4B2CZA6F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NAND02GW4B2CZA6F的Datasheet PDF文件第7页 
NAND01G-B2B  
NAND02G-B2C  
1-Gbit, 2-Gbit,  
2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory  
Features  
■ High density NAND flash memories  
– Up to 2 Gbits of memory array  
– Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
– x8 or x16 bus width  
TSOP48 12 x 20 mm  
– Multiplexed address/ data  
– Pinout compatibility for all densities  
FBGA  
■ Supply voltage: 1.8 V/3.0 V  
■ Page size  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
■ Serial number option  
■ Block size  
■ Data protection  
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes  
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words  
– Hardware block locking  
– Hardware program/erase locked during  
power transitions  
■ Page read/program  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 30 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
■ Data integrity  
– 100 000 program/erase cycles per block  
(with ECC)  
■ Copy back program mode  
■ Cache program and cache read modes  
■ Fast block erase: 2 ms (typ)  
■ Status register  
– 10 years data retention  
®
■ ECOPACK packages  
■ Development tools  
– Error correction code models  
■ Electronic signature  
– Bad blocks management and wear leveling  
algorithms  
■ Chip enable ‘don’t care’  
– Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
Reference  
Part number  
NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B  
NAND01GR4B2B, NAND01GW4B2B(1)  
NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C  
NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C(1)  
NAND01G-B2B  
NAND02G-B2C  
1. x16 organization only available for MCP products.  
April 2008  
Rev 5  
1/60  
www.numonyx.com  
1
1234567...60

中文翻译

下载PDF

与NAND02GW4B2CZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND02GW4B2CZB1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2CZB1E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD
NAND02GW4B2CZB1F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		暂无描述
NAND02GW4B2CZB1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Flash, 128MX16, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
NAND02GW4B2CZB6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2D NUMONYX

获取价格

 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DN6E NUMONYX

获取价格

 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DN6F NUMONYX

获取价格

 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DZA6E NUMONYX

获取价格

 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DZA6F NUMONYX

获取价格

 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie

与NAND02GW4B2CZA6F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证