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NAND02GW4B2CZA6F

更新时间： 2024-09-15 04:57:43
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储
页数 文件大小 规格书
60页 1343K
描述
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NAND02GW4B2CZA6F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：63
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.42
最长访问时间：25000 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B63
JESD-609代码：e1长度：12 mm
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：63字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：9.5 mm
Base Number Matches：1

NAND02GW4B2CZA6F 数据手册

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NAND01G-B2B  
NAND02G-B2C  
1-Gbit, 2-Gbit,  
2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory  
Features  
■ High density NAND flash memories  
– Up to 2 Gbits of memory array  
– Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
– x8 or x16 bus width  
TSOP48 12 x 20 mm  
– Multiplexed address/ data  
– Pinout compatibility for all densities  
FBGA  
■ Supply voltage: 1.8 V/3.0 V  
■ Page size  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
■ Serial number option  
■ Block size  
■ Data protection  
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes  
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words  
– Hardware block locking  
– Hardware program/erase locked during  
power transitions  
■ Page read/program  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 30 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
■ Data integrity  
– 100 000 program/erase cycles per block  
(with ECC)  
■ Copy back program mode  
■ Cache program and cache read modes  
■ Fast block erase: 2 ms (typ)  
■ Status register  
– 10 years data retention  
®
■ ECOPACK packages  
■ Development tools  
– Error correction code models  
■ Electronic signature  
– Bad blocks management and wear leveling  
algorithms  
■ Chip enable ‘don’t care’  
– Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
Reference  
Part number  
NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B  
NAND01GR4B2B, NAND01GW4B2B(1)  
NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C  
NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C(1)  
NAND01G-B2B  
NAND02G-B2C  
1. x16 organization only available for MCP products.  
April 2008  
Rev 5  
1/60  
www.numonyx.com  
1
1234567...60

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND02GW4B2CZB1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2CZB1E STMICROELECTRONICS

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 		128MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD
NAND02GW4B2CZB1F STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
NAND02GW4B2CZB1T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 128MX16, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
NAND02GW4B2CZB6 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2D NUMONYX

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 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DN6E NUMONYX

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 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DN6F NUMONYX

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 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DZA6E NUMONYX

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 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GW4B2DZA6F NUMONYX

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 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie

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