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NAND02GW4B2AN1 PDF预览

NAND02GW4B2AN1

更新时间： 2024-11-15 03:17:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
64页 633K
描述
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND02GW4B2AN1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.24最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND02GW4B2AN1 数据手册

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NAND01G-B  
NAND02G-B  
1 Gbit, 2 Gbit,  
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory  
Feature summary  
●
High Density NAND Flash memories  
–
–
–
Up to 2 Gbit memory array  
Up to 64Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass  
storage applications  
●
NAND interface  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
TSOP48 12 x 20mm  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
FBGA  
●
●
●
●
Supply voltage  
–
–
1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V  
3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm  
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm  
Page size  
–
–
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes  
x16 device: (1024 + 32 spare) Words  
●
●
Serial Number option  
Data protection  
Block size  
–
–
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes  
x16 device: (64K + 2K spare) Words  
–
–
Hardware and Software Block Locking  
Hardware Program/Erase locked during  
Power transitions  
Page Read/Program  
–
–
–
Random access: 25µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 300µs (typ)  
●
Data integrity  
–
–
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
●
●
●
Copy Back Program mode  
● ECOPACK® packages  
–
Fast page copy without external  
buffering  
● Development tools  
–
–
–
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
Cache Program and Cache Read modes  
–
Internal Cache Register to improve the  
program and read throughputs  
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
Fast Block Erase  
File System OS Native reference  
software  
–
Block erase time: 2ms (typ)  
●
●
●
Status Register  
Electronic Signature  
Chip Enable ‘don’t care’  
Hardware simulation models  
–
for simple interface with microcontroller  
February 2006  
Rev 4.0  
1/64  
www.st.com  
2
1234567...64

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与NAND02GW4B2AN1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND02GW4B2AN1E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW4B2AN1F STMICROELECTRONICS

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 		128MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW4B2AN1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128MX16 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW4B2AN6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2AN6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Flash, 128MX16, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW4B2AZA1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2AZA6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2AZB1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW4B2AZB1F NUMONYX

获取价格

 		Flash, 128MX16, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, T
NAND02GW4B2AZB1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		128MX16 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63

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