是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA63,10X12,32 | 针数: | 63 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.76 |
最长访问时间: | 25000 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 2K |
端子数量: | 63 | 字数: | 268435456 words |
字数代码: | 256000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA63,10X12,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小: | 2K words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.05 mm |
部门规模: | 128K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 9.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NAND02GW3B2CZB1 | STMICROELECTRONICS |
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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory | |
NAND02GW3B2CZB1E | NUMONYX |
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Flash, 256MX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TF | |
NAND02GW3B2CZB1F | STMICROELECTRONICS |
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256MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F | |
NAND02GW3B2CZB1T | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
NAND02GW3B2CZB6 | STMICROELECTRONICS |
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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory | |
NAND02GW3B2CZB6T | STMICROELECTRONICS |
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256MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 | |
NAND02GW3B2D | NUMONYX |
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2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie | |
NAND02GW3B2DN6E | NUMONYX |
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2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie | |
NAND02GW3B2DN6F | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie | |
NAND02GW3B2DZA6E | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |