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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
闪存 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 62页 | 713K |  |
| 描述 | ||
| 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory | ||
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.37 |
| 最长访问时间： | 25000 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.05 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 9.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NAND02GW3B2BZB1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND02GW3B2BZB1E | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TF |
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| NAND02GW3B2BZB1F | STMICROELECTRONICS |
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256MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F |
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| NAND02GW3B2BZB1T | STMICROELECTRONICS |
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Flash, 256MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
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| NAND02GW3B2BZB6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND02GW3B2BZB6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
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| NAND02GW3B2C | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND02GW3B2CN1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND02GW3B2CN1E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND02GW3B2CN1E | NUMONYX |
获取价格 |
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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