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NAND02GR4B2DZA6E

更新时间： 2024-11-15 03:31:15
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
69页 1812K
描述
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

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NAND02GR4B2DZA6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA63,10X12,32针数：63
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.73
最长访问时间：25000 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：12 mm内存密度：2147483648 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：2K
端子数量：63字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA63,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：1K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.05 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NAND TYPE
宽度：9.5 mmBase Number Matches：1

NAND02GR4B2DZA6E 数据手册

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NAND02G-B2D  
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page  
multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories  
Preliminary Data  
Features  
■ High density NAND flash memory  
– Up to 2 Gbits of memory array  
– Cost-effective solution for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
– x8 or x16 bus width  
– Multiplexed address/data  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
■ Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device  
FBGA  
■ Page size  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
VFBGA63 9.5 x 12 mm (ZA)  
■ Block size  
■ Status register  
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes  
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words  
■ Electronic signature  
■ Chip Enable ‘don’t care’  
■ Serial number option  
■ Data protection:  
■ Multiplane architecture  
– Array split into two independent planes  
– Program/erase operations can be  
performed on both planes at the same time  
– Hardware program/erase disabled during  
power transitions  
■ Page read/program  
– Non-volatile protection option  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 25 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
■ ONFI 1.0 compliant command set  
■ Data integrity  
– Multiplane page program time (2 pages):  
200 µs (typ)  
– 100,000 program/erase cycles (with ECC)  
– 10 years data retention  
■ Copy back program with automatic EDC (error  
®
■ ECOPACK packages  
detection code)  
■ Cache read mode  
Table 1.  
Device summary  
Part number  
■ Fast block erase  
Reference  
– Block erase time: 1.5 ms (typ)  
NAND02GR3B2D  
NAND02GW3B2D  
NAND02GR4B2D(1)  
NAND02GW4B2D(1)  
– Multiblock erase time (2 blocks): 1.5 ms  
(typ)  
NAND02G-B2D  
1. x 16 organization only available for MCP products.  
April 2008  
Rev 3  
1/69  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
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与NAND02GR4B2DZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND02GR4B2DZA6F NUMONYX

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 		2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie
NAND02GR4B3AZB6F STMICROELECTRONICS

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 		128MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS C
NAND02GW3B STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW3B2AN1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW3B2AN1E STMICROELECTRONICS

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 		256MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW3B2AN1T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 256MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW3B2AN6 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW3B2AN6E STMICROELECTRONICS

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 		256MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW3B2AN6T STMICROELECTRONICS

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 		256MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND02GW3B2AZA1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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