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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 9.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NAND02GR4B2CZB1E | STMICROELECTRONICS |
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128MX16 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEA |
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| NAND02GR4B2CZB1F | NUMONYX |
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Flash, 128MX16, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, T |
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| NAND02GR4B2CZB1T | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| NAND02GR4B2CZB6 | STMICROELECTRONICS |
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1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND02GR4B2CZB6F | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
|
| NAND02GR4B2CZB6T | STMICROELECTRONICS |
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128MX16 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA- |
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| NAND02GR4B2D | NUMONYX |
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2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
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| NAND02GR4B2DN6E | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
|
| NAND02GR4B2DN6F | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
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| NAND02GR4B2DZA6E | NUMONYX |
获取价格 |
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memorie |
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