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NAND01GW4B2BV1E

更新时间： 2024-11-06 10:47:07
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
58页 943K
描述
Flash, 64MX16, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48

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NAND01GW4B2BV1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：VSSOP,
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.27最长访问时间：25000 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：15.4 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12 mmBase Number Matches：1

NAND01GW4B2BV1E 数据手册

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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B,  
NAND04G-B, NAND08G-B  
512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit  
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
Figure 1. Packages  
–
–
–
Up to 8 Gbit memory array  
Up to 64Mbit spare area  
Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■
NAND INTERFACE  
–
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed Address/ Data  
Pinout compatibility for all densities  
TSOP48 12 x 20mm  
■
■
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
1.8V device: V = 1.7 to 1.95V  
DD  
3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
DD  
PAGE SIZE  
USOP48 12 x 17 x 0.65mm  
–
–
x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes  
x16 device: (1024 + 32 spare) Words  
BLOCK SIZE  
FBGA  
–
–
x8 device: (128K + 4K spare) Bytes  
x16 device: (64K + 2K spare) Words  
PAGE READ / PROGRAM  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm  
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm  
–
–
–
Random access: 25µs (max)  
Sequential access: 50ns (min)  
Page program time: 300µs (typ)  
■
■
DATA PROTECTION  
■
■
COPY BACK PROGRAM MODE  
Fast page copy without external buffering  
–
–
Hardware and Software Block Locking  
Hardware Program/Erase locked during  
Power transitions  
–
CACHE PROGRAM AND CACHE READ  
MODES  
DATA INTEGRITY  
–
Internal Cache Register to improve the  
program and read throughputs  
–
–
100,000 Program/Erase cycles  
10 years Data Retention  
RoHS COMPLIANCE  
Lead-Free Components are Compliant  
with the RoHS Directive  
DEVELOPMENT TOOLS  
■
FAST BLOCK ERASE  
Block erase time: 2ms (typ)  
■
■
–
–
■
■
■
STATUS REGISTER  
ELECTRONIC SIGNATURE  
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’  
–
Error Correction Code software and  
hardware models  
–
for simple interface with microcontroller  
■
SERIAL NUMBER OPTION  
–
Bad Blocks Management and Wear  
Leveling algorithms  
–
–
–
PC Demo board with simulation software  
File System OS Native reference software  
Hardware simulation models  
August 2005  
1/58  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...58

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与NAND01GW4B2BV1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW4B2BV1T NUMONYX

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 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW4B2BV6 NUMONYX

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 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW4B2BV6E NUMONYX

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 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC
NAND01GW4B2BV6F NUMONYX

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 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC
NAND01GW4B2BV6T NUMONYX

获取价格

 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW4B2BZA1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW4B2BZA1E STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW4B2BZA1E NUMONYX

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 		1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW4B2BZA1F NUMONYX

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 		1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW4B2BZA1F STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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