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NAND01GW4A0CN6E PDF预览

NAND01GW4A0CN6E

更新时间： 2024-02-13 05:11:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
53页 1334K
描述
Flash, 64MX16, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

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NAND01GW4A0CN6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.1
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3/e6
长度：18.4 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND01GW4A0CN6E 数据手册

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NAND512xxA2D  
NAND01GxxA2C  
512-Mbit, 1-Gbit, 528-byte/264-word page,  
1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories  
Features  
●
High density SLC NAND flash memories  
–
–
512-Mbit, 1-Gbit memory array  
Cost effective solutions for mass  
storage applications  
●
NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
–
–
x8 or x16 bus width  
Multiplexed address/ data  
FBGA  
●
●
Supply voltage: 1.8 V, 3 V  
Page size  
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm (ZA)  
–
–
x8 device: (512 + 16 spare) bytes  
x16 device: (256 + 8 spare) words  
●
●
Block size  
●
●
Hardware data protection: program/erase  
locked during power transitions  
–
–
x8 device: (16 K + 512 spare) bytes  
x16 device: (8 K + 256 spare) words  
Security features  
Page read/program  
–
–
OTP area  
–
–
–
Random access:  
12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)  
Serial number (unique ID)  
●
Data integrity  
Sequential access:  
30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)  
–
100,000 program/erase cycles (with  
ECC)  
Page program time: 200 µs (typ)  
–
10 years data retention  
●
●
●
●
●
Copy back program mode  
Fast block erase: 1.5 ms (typ)  
Status register  
●
●
RoHS compliant packages  
Development tools  
–
–
Error correction code models  
Electronic signature  
Bad blocks management and wear  
leveling algorithms  
Chip Enable ‘don’t care’  
–
Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
NAND512xxA2D  
NAND01GxxA2C  
NAND512R3A2D  
NAND512R4A2D  
NAND512W3A2D  
NAND512W4A2D  
NAND01GR3A2C  
NAND01GR4A2C  
NAND01GW3A2C  
NAND01GW4A2C  
November 2009  
Rev 7  
1/53  
www.numonyx.com  
1
1234567...53

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与NAND01GW4A0CN6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW4A0CN6F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CN6F NUMONYX

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 		Flash, 64MX16, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
NAND01GW4A0CN6T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV1 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV1E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV1F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV1T STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV6 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV6E STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash
NAND01GW4A0CV6F STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash

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