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NAND01GW3B2CZA6F

更新时间： 2024-09-23 05:26:55
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储
页数 文件大小 规格书
60页 1343K
描述
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NAND01GW3B2CZA6F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA63,10X12,32
针数：63Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.43Is Samacsys：N
最长访问时间：25000 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：11 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1K
端子数量：63字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA63,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.05 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NAND TYPE
宽度：9 mm最长写入周期时间 (tWC)：25 ms
Base Number Matches：1

NAND01GW3B2CZA6F 数据手册

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NAND01G-B2B  
NAND02G-B2C  
1-Gbit, 2-Gbit,  
2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory  
Features  
■ High density NAND flash memories  
– Up to 2 Gbits of memory array  
– Cost effective solutions for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
– x8 or x16 bus width  
TSOP48 12 x 20 mm  
– Multiplexed address/ data  
– Pinout compatibility for all densities  
FBGA  
■ Supply voltage: 1.8 V/3.0 V  
■ Page size  
VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm  
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm  
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes  
– x16 device: (1024 + 32 spare) words  
■ Serial number option  
■ Block size  
■ Data protection  
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes  
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words  
– Hardware block locking  
– Hardware program/erase locked during  
power transitions  
■ Page read/program  
– Random access: 25 µs (max)  
– Sequential access: 30 ns (min)  
– Page program time: 200 µs (typ)  
■ Data integrity  
– 100 000 program/erase cycles per block  
(with ECC)  
■ Copy back program mode  
■ Cache program and cache read modes  
■ Fast block erase: 2 ms (typ)  
■ Status register  
– 10 years data retention  
®
■ ECOPACK packages  
■ Development tools  
– Error correction code models  
■ Electronic signature  
– Bad blocks management and wear leveling  
algorithms  
■ Chip enable ‘don’t care’  
– Hardware simulation models  
Table 1.  
Device summary  
Reference  
Part number  
NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B  
NAND01GR4B2B, NAND01GW4B2B(1)  
NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C  
NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C(1)  
NAND01G-B2B  
NAND02G-B2C  
1. x16 organization only available for MCP products.  
April 2008  
Rev 5  
1/60  
www.numonyx.com  
1
1234567...60

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与NAND01GW3B2CZA6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW3B2CZA6T NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
NAND01GW3B2CZA6T STMICROELECTRONICS

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
NAND01GW3B2CZB1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2CZB6 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B3AV1T STMICROELECTRONICS

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW3M0AZB5E STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND01GW3M0AZB5F STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND01GW3M0AZC5E STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND01GW3M0AZC5F STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND01GW3M0BZB5E STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.

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