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NA05HSA12

更新时间： 2024-11-21 20:10:11

品牌	Logo	应用领域
NIEC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	377K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 120V V(RRM), Silicon,

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NA05HSA12 数据手册

5A Avg.

120 Volts

SBD

NA05HSA12

■最大定格 Maximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

Conditions

120

Unit

く

り

返

し

ピ

ー

ク

逆

電

圧

流

V_RRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

Ta=30℃*

V_RM=60V

Tl=91℃

V_RM=60V

1.2

5.0

平

均

整

流

電

50Hz、正弦半波通電抵抗負荷

50Hz Half Sine Wave Resistive Load

I_O

Average Rectified Forward Current

(Tl:lead Temperature)

実

効

順

電

流

I_F(RMS)

I_FSM

7.85

R.M.S. Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し

50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

100

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度

範

囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度範囲

T_stg

℃

Storage Temperature Range

■APPROX. NET WEIGHT:0.03 g

■電気的・熱的特性 Electrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

T_j＝25℃, V_RM＝120V

T_j＝25℃, I_FM＝5A

－

100

0.86

130

μA

Peak Reverse Current

ピ

ー

ク

順

V_FM

－

Peak Forward Voltage

接合部･周

囲

間

R_th(j-a)

R_th(j-l)

＊

（ガラエポ基板実装）

－

℃/W

Junction to Ambient

熱

抵

抗

Thermal Resistance

接合部･リード間

Junction to Lead

＊プリント基板実装/Glass-Epoxy Substrate mounted (Soldering Lands= 2.0 × 1.5 mm, 2.0 × 3.5 mm)

■定格・特性曲線

FIG.1

FIG.4

FIG.7

FIG.2

FIG.5

FIG.8

FIG.3

FIG.6

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