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N82S09I

更新时间: 2024-11-26 21:03:55
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恩智浦 - NXP 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP28, Static RAM

N82S09I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:64X9
输出特性:OPEN-COLLECTOR可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

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