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N82S09AN

更新时间: 2024-11-26 20:05:59
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PDIP28

N82S09AN 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:64X9
输出特性:OPEN-COLLECTOR可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

N82S09AN 数据手册

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