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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC28,.5SQ | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 64 words | 字数代码： | 64 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64X9 | |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC28,.5SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N82S09AA | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PQCC28 |
|
| N82S09AI | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, CDIP28 |
|
| N82S09AN | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PDIP28 |
|
| N82S09ANB | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28, Static RAM |
|
| N82S09AN-B | NXP |
获取价格 |
64X9 STANDARD SRAM, 35ns, PDIP28 |
|
| N82S09F | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 45ns, TTL, CDIP28, |
|
| N82S09I | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP28, Static RAM |
|
| N82S09N | YAGEO |
获取价格 |
Standard SRAM, 64X9, 45ns, TTL, PDIP28 |
|
| N82S09NB | NXP |
获取价格 |
IC 64 X 9 STANDARD SRAM, 45 ns, PDIP28, Static RAM |
|
| N82S100F | PHILIPS |
获取价格 |
OT PLD, PLA-Type, TTL, CDIP28 |
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