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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TSSOP | 包装说明： | TSOP2, TSSOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.56 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 20 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 长度： | 4.4 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1, (3 LINE) | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSSOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 2.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000004 A | 最小待机电流： | 2.3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N64T1618C1BZ-70I | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-73IL | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-73IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-73I-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-75IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-77I | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-77IL | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-77IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-87IL | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-87IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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