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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.56 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 16 MHz |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.4 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1, (3 LINE) |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最大待机电流： | 5e-7 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N64S830HA | ONSEMI |
获取价格 |
64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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| N64S830HAS22I | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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| N64S830HAS22IT | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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| N64S830HAT22I | ONSEMI |
获取价格 |
64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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| N64S830HAT22IT | ONSEMI |
获取价格 |
64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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| N64T1618C1BZ-70I | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-73IL | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-73IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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| N64T1618CBBZ-73I-TR | NANOAMP |
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DRAM |
|
| N64T1618CBBZ-75IL-TR | NANOAMP |
获取价格 |
DRAM |
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