是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | TSSOP, TSSOP8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.56 | 最大时钟频率 (fCLK): | 16 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
长度: | 4.4 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1, (3 LINE) |
端子数量: | 8 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 最大待机电流: | 5e-7 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
N64S830HA | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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N64S830HAS22I | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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N64S830HAS22IT | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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N64S830HAT22I | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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N64S830HAT22IT | ONSEMI |
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi |
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N64T1618C1BZ-70I | NANOAMP |
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DRAM |
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N64T1618CBBZ-73IL | NANOAMP |
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DRAM |
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N64T1618CBBZ-73IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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N64T1618CBBZ-73I-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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N64T1618CBBZ-75IL-TR | NANOAMP |
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DRAM |
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