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N64S818HAS21IT

更新时间： 2024-02-24 06:08:09

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安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
15页	203K
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64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organization

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N64S818HAS21IT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	16 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大待机电流：	5e-7 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.91 mm
Base Number Matches：	1

N64S818HAS21IT 数据手册

N64S818HA

64Kb Low Power Serial SRAMs

8K × 8 bit Organization

Overview

Features

The ON Semiconductor serial SRAM family

includes several integrated memory devices

including this 64K serially accessed Static

• Power Supply Range

1.7 to 1.95V

• Very low standby current

Random Access Memory, internally organized as

8K words by 8 bits. The devices are designed and

fabricated using ON Semiconductor’s advanced

CMOS technology to provide both high-speed

performance and low power. The devices operate

with a single chip select (CS) input and use a

simple Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus.

A single data in and data out line is used along with

a clock to access data within the devices. The

N64S818HA devices include a HOLD pin that

allows communication to the device to be paused.

While paused, input transitions will be ignored.

The devices can operate over a wide temperature

As low as 200nA

• Very low operating current

As low as 3mA

• Simple memory control

Single chip select (CS)

Serial input (SI) and serial output (SO)

• Flexible operating modes

Word read and write

Page mode (32 word page)

Burst mode (full array)

• Organization

8K x 8 bit

range of -40 C to +85 C and can be available in

• Self timed write cycles

several standard package offerings.

• Built-in write protection (CS high)

• HOLD pin for pausing communication

• High reliability

Unlimited write cycles

• RoHS Compliant Packages

Green SOIC and TSSOP

Device Options

Typical

Power

Speed

Read/Write

Part Number

Density

Package

Standby

Current

Supply (V)

(MHz)

Operating Current

N64S818HAS2

N64S818HAT2

SOIC

TSSOP

64Kb

1.8

200nA

3 mA @ 1Mhz

July 2008 - Rev. J

Publication Order Number:

N64S818HA/D

12 3 4 5 6 7...15

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