Datasheet > 存储 > SRAM> N64S818HAS21I

N64S818HAS21I

更新时间： 2024-02-16 11:06:44

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	203K
描述
64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organization

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N64S818HAS21I 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	96 weeks	风险等级：	1.91
最大时钟频率 (fCLK)：	16 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大待机电流：	5e-7 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.91 mm

N64S818HAS21I 数据手册

N64S818HA

64Kb Low Power Serial SRAMs

8K × 8 bit Organization

Overview

Features

The ON Semiconductor serial SRAM family

includes several integrated memory devices

including this 64K serially accessed Static

• Power Supply Range

1.7 to 1.95V

• Very low standby current

Random Access Memory, internally organized as

8K words by 8 bits. The devices are designed and

fabricated using ON Semiconductor’s advanced

CMOS technology to provide both high-speed

performance and low power. The devices operate

with a single chip select (CS) input and use a

simple Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus.

A single data in and data out line is used along with

a clock to access data within the devices. The

N64S818HA devices include a HOLD pin that

allows communication to the device to be paused.

While paused, input transitions will be ignored.

The devices can operate over a wide temperature

As low as 200nA

• Very low operating current

As low as 3mA

• Simple memory control

Single chip select (CS)

Serial input (SI) and serial output (SO)

• Flexible operating modes

Word read and write

Page mode (32 word page)

Burst mode (full array)

• Organization

8K x 8 bit

range of -40 C to +85 C and can be available in

• Self timed write cycles

several standard package offerings.

• Built-in write protection (CS high)

• HOLD pin for pausing communication

• High reliability

Unlimited write cycles

• RoHS Compliant Packages

Green SOIC and TSSOP

Device Options

Typical

Power

Speed

Read/Write

Part Number

Density

Package

Standby

Current

Supply (V)

(MHz)

Operating Current

N64S818HAS2

N64S818HAT2

SOIC

TSSOP

64Kb

1.8

200nA

3 mA @ 1Mhz

July 2008 - Rev. J

Publication Order Number:

N64S818HA/D

12 3 4 5 6 7...15

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