5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 750 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 1000 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 最大漏电流： | 150 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 25000 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 2880000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 2610.91 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 150000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 2600 V | 重复峰值反向电压： | 2600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| N630CH28GOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM) |
|
| N630CH28JOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM) |
|
| N630CH28KOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM) |
|
| N630CH30 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 630000mA I(T), 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), |
|
| N630CH32 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 630000mA I(T), 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), |
|
| N630CH34LOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 3400V V(DRM), 3400V V(RRM) |
|
| N630CH36HOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 3600V V(DRM), 3600V V(RRM) |
|
| N630CH36JOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 3600V V(DRM), 3600V V(RRM) |
|
| N630CH36KOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2610.91A I(T)RMS, 2880000mA I(T), 3600V V(DRM), 3600V V(RRM) |
|
| N630FH28HOO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2880000mA I(T), 2800V V(DRM), |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
