5秒后页面跳转
N37100W1EN1S PDF预览

N37100W1EN1S

更新时间: 2024-02-28 08:48:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

N37100W1EN1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.51Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-XJESD-609代码:e0
相数:1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N37100W1EN1S 数据手册

 浏览型号N37100W1EN1S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N37100W1EN1S的Datasheet PDF文件第3页 

与N37100W1EN1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N37100W1FB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100W1FBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100W1FC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100W1TB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100W1TC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100W1TN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100X1EB1S MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink
N37100X1EN1S MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink
N37100X1FB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N37100X1FBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,