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N3101AN

更新时间: 2024-11-09 19:29:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP16, Static RAM

N3101AN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:16X4
输出特性:OPEN-COLLECTOR可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N3101AN 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N3101ANB NXP

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IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP16, Static RAM
N310CH02GOO IXYS

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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1
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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1
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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1
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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 990000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1
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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1
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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1
N310CH06LOO IXYS

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Silicon Controlled Rectifier, 1554.3A I(T)RMS, 1650000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1