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N25Q128A13ESE40E

更新时间： 2024-12-02 14:59:03
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
81页 1087K
描述
N25Q128A

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N25Q128A13ESE40E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP16,.41针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：8.38
最大时钟频率 (fCLK)：108 MHz数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：S-PDSO-G8
长度：5.285 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX8
输出特性：TOTEM POLE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP16,.41
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.16 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：5.285 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

N25Q128A13ESE40E 数据手册

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128Mb, 3V, Multiple I/O Serial Flash Memory  
Features  
Micron Serial NOR Flash Memory  
3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase  
N25Q128A  
• Write protection  
Features  
– Software write protection applicable to every  
64KB sector via volatile lock bit  
– Hardware write protection: protected area size  
defined by five nonvolatile bits (BP0, BP1, BP2,  
BP3, and TB)  
• SPI-compatible serial bus interface  
• 108 MHz (MAX) clock frequency  
• 2.7–3.6V single supply voltage  
• Dual/quad I/O instruction provides increased  
throughput up to 432 MHz  
– Additional smart protections, available upon re-  
quest  
• Supported protocols  
– Extended SPI, dual I/O, and quad I/O  
• Execute-in-place (XIP) mode for all three protocols  
– Configurable via volatile or nonvolatile registers  
– Enables memory to work in XIP mode directly af-  
ter power-on  
• PROGRAM/ERASE SUSPEND operations  
• Continuous read of entire memory via a single com-  
mand  
– Fast read  
– Quad or dual output fast read  
– Quad or dual I/O fast read  
• Flexible to fit application  
– Configurable number of dummy cycles  
– Output buffer configurable  
• Electronic signature  
– JEDEC-standard 2-byte signature (BA18h)  
– Unique ID code (UID): 17 read-only bytes, in-  
cluding:  
• Two additional extended device ID (EDID)  
bytes to identify device factory options  
• Customized factory data (14 bytes)  
• Minimum 100,000 ERASE cycles per sector  
• More than 20 years data retention  
• Packages JEDEC standard, all RoHS compliant  
– F7 = V-PDFN-8 6mm x 5mm Sawn (MLP8 6mm x  
5mm)  
– F8 = V-PDFN-8 8mm x 6mm (MLP8 8mm x 6mm)  
– 12 = T-PBGA-24b05 6mm x 8mm  
• Software reset  
– 14 = T-PBGA-24b05 6mm x 8mm, 4x6 ball array  
– SF = SOP2-16 300 mils body width (SO16W)  
– SE = SOP2-8 208 mils body width (SO8W)  
• 64-byte, user-lockable, one-time programmable  
(OTP) dedicated area  
• Erase capability  
– Subsector erase 4KB uniform granularity blocks  
– Sector erase 64KB uniform granularity blocks  
– Full-chip erase  
PDF: 09005aef845665fe  
n25q_128mb_3v_65nm.pdf - Rev. P 06/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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N25Q128A13ESE40E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
N25Q128A13ESE40F MICRON

完全替代

 N25Q128A
N25Q128A13ESE40G MICRON

完全替代

 Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q128A

与N25Q128A13ESE40E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N25Q128A13ESE40F MICRON

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 		N25Q128A
N25Q128A13ESE40G MICRON

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 		Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q128A
N25Q128A13ESEA0F MICRON

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 		N25Q128A
N25Q128A13ESEH0E MICRON

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 		N25Q128A
N25Q128A13ESF40E NUMONYX

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 		128-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors,XiP enabled, serial fl
N25Q128A13ESF40E MICRON

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 		N25Q128A
N25Q128A13ESF40F NUMONYX

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 		128-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors,XiP enabled, serial fl
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 		N25Q128A
N25Q128A13ESF40G NUMONYX

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 		128-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors,XiP enabled, serial fl
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