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N25Q032A13EF640x

更新时间： 2024-02-22 20:40:10
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
82页 884K
描述
SPI-compatible serial bus interface

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N25Q032A13EF640x 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：HVSON, SOLCC8,.25
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.79
最大时钟频率 (fCLK)：108 MHz数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-N8
长度：6 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
功能数量：1端子数量：8
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30类型：NOR TYPE
宽度：5 mm写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

N25Q032A13EF640x 数据手册

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32Mb, 3V, Multiple I/O Serial Flash Memory  
Features  
Micron Serial NOR Flash Memory  
3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase  
N25Q032A13E1240x, N25Q032A13ESE40x, N25Q032A13EF640x,  
N25Q032A13EF840x, N25Q032A13ESF40x, N25Q032A13ESC40x,  
N25Q032A13EF440E, N25Q032A13EF440F, N25Q032A13ESCA0F  
N25Q032A13ESFA0F, N25Q032A13ESFH0F  
• Write protection  
– Software write protection applicable to every  
Features  
• SPI-compatible serial bus interface  
• 108 MHz (MAX) clock frequency  
• 2.7–3.6V single supply voltage  
• Dual/quad I/O instruction provides increased  
throughput up to 432 MHz  
64KB sector via volatile lock bit  
– Hardware write protection: protected area size  
defined by four nonvolatile bits (BP0, BP1, BP2,  
and TB)  
– Additional smart protections, available upon re-  
quest  
• Supported protocols  
– Extended SPI, dual I/O, and quad I/O  
• Execute-in-place (XIP) mode for all three protocols  
– Configurable via volatile or nonvolatile registers  
– Enables memory to work in XIP mode directly af-  
ter power-on  
• PROGRAM/ERASE SUSPEND operations  
• Continuous read of entire memory via a single com-  
mand  
• Electronic signature  
– JEDEC-standard, 2-byte signature (BA16h)  
– Unique ID code: 17 read-only bytes, including:  
• Two additional extended device ID bytes to  
identify device factory options  
• Customized factory data (14 bytes)  
• Minimum 100,000 ERASE cycles per sector  
• More than 20 years data retention  
– FAST READ  
• Packages (JEDEC-standard, RoHS compliant)  
– F4 = U-PDFN-8 4mm x 3mm (MLP8)  
– F6 = V-PDFN-8 6mm x 5mm (MLP8)  
– F8 = V-PDFN-8 8mm x 6mm (MLP8)  
– 12 = T-PBGA-24b05 6mm x 8mm  
– QUAD or DUAL OUTPUT FAST READ  
– QUAD or DUAL I/O FAST READ  
• Flexible to fit application  
– Configurable number of dummy cycles  
– Configurable output buffer  
– SC = SOP2-8 150 mils body width (SO8N)  
– SF = SOP2-16 300 mils body width (SO16W)  
– SE = SOP2-8 208 mils body width (SO8W)  
– RESET function available upon customer request  
• 64-byte, user-lockable, one-time programmable  
(OTP) dedicated area  
• Erase capability  
– Subsector erase 4KB uniform granularity blocks  
– Sector erase 64KB uniform granularity blocks  
– Full-chip erase  
PDF: 09005aef84566622  
n25q_32mb_3v_65nm.pdf - Rev. G 9/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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