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N25Q032A11EF640F

更新时间： 2024-11-30 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
82页 885K
描述
Rev. I, 32Mb, 1.8V, Multiple I/O, 4KB Subsector Erase, XIP Enabled, Serial NOR Flash Memory with 108 MHz Serial Peripheral Interface

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N25Q032A11EF640F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：VSON,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.64
最大时钟频率 (fCLK)：108 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-N8
长度：6 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：32
功能数量：1端子数量：8
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：1.8 V座面最大高度：1 mm
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：5 mmBase Number Matches：1

N25Q032A11EF640F 数据手册

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32Mb, 1.8V, Multiple I/O Serial Flash Memory  
Features  
Micron Serial NOR Flash Memory  
1.8V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase  
N25Q032A11E124xx, N25Q032A11EF440x, N25Q032A11ESE40x,  
N25Q032A11ESF40x, N25Q032A11EF840x, N25Q032A11EF640x  
• Write protection  
– Software write protection applicable to every  
Features  
• SPI-compatible serial bus interface  
• 108 MHz (MAX) clock frequency  
• 1.7–2.0V single supply voltage  
• Dual/quad I/O instruction provides increased  
throughput up to 432 MHz  
64KB sector via volatile lock bit  
– Hardware write protection: protected area size  
defined by four nonvolatile bits (BP0, BP1, BP2,  
and TB)  
– Additional smart protections, available upon re-  
quest  
• Supported protocols  
– Extended SPI, dual I/O, and quad I/O  
• Execute-in-place (XIP) mode for all three protocols  
– Configurable via volatile or nonvolatile registers  
– Enables memory to work in XIP mode directly af-  
ter power-on  
• PROGRAM/ERASE SUSPEND operations  
• Continuous read of entire memory via a single com-  
mand  
– Fast read  
– Quad or dual output fast read  
– Quad or dual I/O fast read  
• Flexible to fit application  
– Configurable number of dummy cycles  
– Output buffer configurable  
• Electronic signature  
– JEDEC-standard 2-byte signature (BB16h)  
– Unique ID code (UID): 17 read-only bytes, in-  
cluding:  
• Two additional extended device ID (EDID)  
bytes to identify device factory options  
• Customized factory data (14 bytes)  
• Minimum 100,000 ERASE cycles per sector  
• More than 20 years data retention  
• Packages JEDEC standard, all RoHS compliant  
– F4 = UF-PDFN-8 4mm x 3mm (MLP8 4mm x  
3mm)  
– F6 = V-PDFN-8 6mm x 5mm ( MLP8 6mm x  
5mm )  
• Software reset  
– F8 = V-PDFN-8 8mm x 6mm (MLP8 8mm x 6mm)  
– 12 = T-PBGA-24b05 6mm x 8mm  
– SF = SOP2-16 300 mils body width (SO16W)  
– SE = SOP2-8 208 mils body width (SO8W)  
• 64-byte, user-lockable, one-time programmable  
(OTP) dedicated area  
• Erase capability  
– Subsector erase 4KB uniform granularity blocks  
– Sector erase 64KB uniform granularity blocks  
– Full-chip erase  
PDF: 09005aef84566617  
n25q_32mb_1_8v_65nm.pdf - Rev. E 6/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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N25Q032A11EF640F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
N25Q032A11EF640E MICRON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with
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 		32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with
N25Q032A13E1240x MICRON

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 		SPI-compatible serial bus interface
N25Q032A13E1241E MICRON

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 		32Mb, 3V, Multiple I/O, 4KB Subsector Erase, XiP Enabled, Serial NOR Flash Memory with 108
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 		32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with

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