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N256S0818HDAS2-20

更新时间： 2024-11-28 21:04:15

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		时钟静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	335K
描述
Standard SRAM, 16KX16, CMOS, PDSO8

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N256S0818HDAS2-20 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SOP, SOP8,.25	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	备用内存宽度：	8
最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	5e-7 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.008 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

N256S0818HDAS2-20 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.

670 North McCarthy Blvd. Suite 220

Milpitas, CA 95035

ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770

www.nanoamp.com

N256S0818HDA/N256S0830HDA

256Kb Low Power Serial SRAMs

32K × 8 bit and 16K x 16 bit

Organization

Features

• Power Supply Options

1.8V to 3.6V

Overview

• Very low standby current

As low as 200nA

The NanoAmp serial SRAM family includes several

integrated memory devices containing a 256Kb

serially accessed Static Random Access Memory,

internally organized as 32K words by 8 bits or 16K

words by 16 bits. The devices are designed and

fabricated using NanoAmp’s advanced CMOS

technology to provide both high-speed

• Very low operating current

As low as 500uA

• Simple memory control

Single chip select (CS)

Serial input (SI) and serial output (SO)

• Flexible operating modes

performance and low power. The devices operate

with a single chip select (CS) input and use a

Word read and write

Page mode (32 word page)

Burst mode (full array)

simple Serial Peripheral Interface (SPI ) serial

bus. A single data in and data out line is used

along with a clock to access data within the

• Organization

32K x 8 bit and 16K x 16 bit

devices. The N256S08xxHDA devices include a

HOLD pin that allows communication to the device

to be paused. While paused, input transitions will

be ignored. The devices can operate over a wide

• Self timed write cycles

• Built-in write protection (CS high)

• HOLD pin for pausing communication

temperature range of -40 C to +85 C and can be

• High reliability

available in several standard package offerings.

Unlimited write cycles

• RoHS Compliant Packages

Green SOIC and TSSOP

Device Options

Typical

Power

Speed

Read/Write

Part Number

Density

Feature

Standby

Current

Supply (V)

(MHz)

Operating Current

N256S0818HDA

N256S0830HDA

1.8

3.0

200nA

1uA

256Kb

HOLD

500 uA @ 1Mhz

This is a developmental specification and is subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N256S0818HDAS2-20I	AMI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
N256S0818HDAT2-16I	ONSEMI	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8
N256S0818HDAT220	AMI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8
N256S0818HDAT2-25I	AMI	获取价格	N256S0818HDAT2-25I
N256S0830HDA	AMI	获取价格	256Kb Low Power Serial SRAMs 32K 】 8 bit Orga
N256S0830HDAS225	AMI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
N256S0830HDAS2-25I	AMI	获取价格	SRAM,
N256S0830HDAT2-20I	AMI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, CMOS, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8
N256S0830HDAT2-20I	ONSEMI	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8
N256S0830HDAT2-20I	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8

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