生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.84 | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 300 mA | JESD-30 代码: | O-CXDB-X3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 4285 A | 断态重复峰值电压: | 4200 V |
重复峰值反向电压: | 4200 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UNSPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
N2172ZC440 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 4285A I(T)RMS, 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element | |
N2172ZC450 | LITTELFUSE |
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Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至 | |
N2172ZD400 | LITTELFUSE |
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Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至 | |
N2172ZD450 | LITTELFUSE |
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Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。 器件电压范围在400V至 | |
N2180B1EB1S | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink | |
N2180B1EBC1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, | |
N2180B1EC1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, | |
N2180B1EN1S | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink | |
N2180B1FB1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, | |
N2180B1FBC1S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |