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N1651QK200

更新时间： 2024-11-26 19:49:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	272K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3253A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element, WESPACK-4

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N1651QK200 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	3253 A	断态重复峰值电压：	2000 V
重复峰值反向电压：	2000 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

N1651QK200 数据手册

Date:- 1 Aug, 2005

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

IXYS

Company

Provisional Data

Wespack Phase Control Thyristor

Types N1651QK200 to N1651QK220

Development Type No.: NX058QK200-220

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

2000-2200

2100-2300

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AV)M

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

1651

1138

591

I_T(RMS)MNominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

3253

2836

17.3

I_T(d.c.)

I_TSM

I_TSM2

I²t

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

A²s

≤

19.0

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

1.50×10⁶

1.81×10⁶

100

I²t

≤

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm10V, (note 5)

(continuous, 50Hz)

(repetitive, 50Hz, 60s)

(non-repetitive)

(di/dt)_crCritical rate of rise of on-state current (note 6)

200

A/µs

400

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Peak reverse gate voltage

Mean forward gate power

Peak forward gate power

Operating temperature range

Storage temperature range

°C

T_{j op}

-40 to +125

-40 to +150

T_stg

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Cathode side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

≤

6) V_D=67% V_DRM, I_TM=2000A, I_FG=2A, t_r0.5µs, T_case=125°C.

Provisional Data Sheet. Types N1651QK200 to N1651QK220 Issue 1

Page 1 of 11

August, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N1651QK220	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3253A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, WESPAC
N1651QK220	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse提供业界最全面的标准相位控制晶闸管系列之一。器件电压范围在400V至
N1651S001-000000	Carling Technologies	获取价格	ROCKER SWITCH
N1652S001-000000	Carling Technologies	获取价格	ROCKER SWITCH
N1652S002-000000	Carling Technologies	获取价格	ROCKER SWITCH
N1661S003-000000	Carling Technologies	获取价格	ROCKER SWITCH
N1661VC300	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3259A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element,
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