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N1479NS300

更新时间： 2024-11-25 19:48:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
10页 223K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2830A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element, 101A337, 4 PIN

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N1479NS300 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.81
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：300 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2830 A断态重复峰值电压：3000 V
重复峰值反向电压：3000 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR

N1479NS300 数据手册

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Date:- 30 Jan, 2002  
Data Sheet Issue:- 2  
WESTCODE  
Phase Control Thyristor  
Types N1479NS240 to N1479NS300  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
2400-3000  
2400-3000  
2400-3000  
2500-3100  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current. Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current. Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current. Tsink=25°C, (note 4)  
1436  
A
A
989  
602  
A
2830  
2466  
21  
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
≤
23  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
2.21×106  
2.65×106  
200  
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
diT/dt  
400  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes: -  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, ITM=3000A, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types N1479NS240 to N1479NS300 Issue 2.  
Page 1 of 10  
January, 2002  
1234567...10

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与N1479NS300相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1483CH36GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5338A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1483CH36HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5338A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1483CH37GOO IXYS

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N1483CH37JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6650A I(T)RMS, 3700V V(DRM), 3700V V(RRM), 1 Element, 101A32
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 		Silicon Controlled Rectifier, 6650A I(T)RMS, 3900V V(DRM), 3900V V(RRM), 1 Element, 101A32
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 		Silicon Controlled Rectifier, 5338A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1 Element, 101A32

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