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MXLSMBJ2K5.0E3

更新时间： 2024-11-20 15:45:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	451K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 2000W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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MXLSMBJ2K5.0E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-J2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	5.9 V
最大钳位电压：	7.6 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-J2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	2000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.38 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	5 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MXLSMBJ2K5.0E3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 2000W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLSMBJ2K5.0E3TR	MICROSEMI	获取价格	2000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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MXLSMBJ30A	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLSMBJ30A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLSMBJ30AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLSMBJ30AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MXLSMBJ30AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
MXLSMBJ30ATR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
MXLSMBJ30CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21