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MXLLCE28

更新时间: 2023-03-15 00:00:00
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 344K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode

MXLLCE28 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.85
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:34.4 V
最小击穿电压:31.1 V击穿电压标称值:32.75 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:45.4 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:28 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

MXLLCE28 数据手册

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