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MX2N3821 PDF预览

MX2N3821

更新时间： 2023-01-03 02:29:16
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 225K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-206AF, TO-72, 4 PIN

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MX2N3821 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.83
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：50 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：3 pF
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON

MX2N3821 数据手册

 浏览型号MX2N3821的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MX2N3821的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MX2N3821的Datasheet PDF文件第4页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE  
Equivalent to MIL-PRF-19500/375  
DEVICES  
LEVELS  
MQ = JAN Equivalent  
MX = JANTX Equivalent  
MV = JANTXV Equivalent  
2N3821  
2N3822  
2N3823  
2N3821UB  
2N3822UB  
2N3823UB  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N3821, UB 2N3823, UB  
2N3822, UB  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Unit  
VGSR  
VDS  
VDG  
IGF  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate Current  
50  
50  
50  
30  
30  
30  
V
V
V
10  
mA  
mW  
Power Dissipation  
TA = +25°C (1)  
300  
PT  
Operating Junction & Storage  
Temperature Range  
Tj, Tstg  
-55 to + 200  
°C  
Note: (1) Derate linearly 1.7mW/°C for TA > +25°C.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
TO-72 (TO-206AF)  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
50  
50  
30  
Gate-Source Breakdown Voltage  
VDS = 0, IG = 1.0μA dc  
V(BR)GSSR  
Vdc  
Gate Reverse Current  
V
V
DS = 0, VGS = 30V dc  
DS = 0, VGS = 30V dc  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
0.1  
0.1  
0.5  
IGSSR  
ηA  
VDS = 0, VGS = 20V dc  
Zero-Gate-Voltage Drain Current  
V
GS = 0, VDS = 15V dc  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
0.5  
2.0  
4.0  
2.5  
10  
20  
IDSS  
mA  
Gate-Source Voltage  
DS = 15V dc, ID = 50μA dc  
VDS = 15V dc, ID = 200μA dc  
VDS = 15V dc, ID = 400μA dc  
Gate-Source Cutoff Voltage  
VDS = 15V dc, ID = 0.5ηA dc  
0.5  
1.0  
1.0  
2.0  
4.0  
7.5  
V
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
VGS  
Vdc  
Vdc  
UB - Package  
4.0  
6.0  
8.0  
2N3821 / UB  
2N3822 / UB  
2N3823 / UB  
VGS(off)  
T4-LDS-0005 Rev. 2 (101425)  
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1234

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MX2N3821 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3821 MICROSEMI

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