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MX29LV800CBTC90R PDF预览

MX29LV800CBTC90R

更新时间： 2024-02-25 16:19:45
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
77页 892K
描述
Flash, 512KX16, 90ns, PDSO48

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MX29LV800CBTC90R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.77
最长访问时间：90 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：1部门数/规模：1,2,1,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

MX29LV800CBTC90R 数据手册

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MX29LV400C T/B  
MX29LV800C T/B  
MX29LV160C T/B  
SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY  
FEATURES  
GENERAL FEATURES  
• Byte/Word mode switchable:  
- 524,288 x8 / 262,144 x16 (MX29LV400C)  
- 1,048,576 x8 / 524,288 x16 (MX29LV800C)  
- 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 (MX29LV160C)  
• Sector Structure  
- 16K-Byte x 1, 8K-Byte x 2, 32K-Byte x 1  
64K-Byte x 7 (MX29LV400C), 64K-Byte x 15 (MX29LV800C), 64K-Byte x 31 (MX29LV160C)  
- Provides sector protect function to prevent program or erase operation in the protected sector  
- Provides chip unprotect function to allow code changing  
- Provides temporary sector unprotect function for code changing in previously protected sector  
• Single Power Supply Operation  
- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations  
• Latch-up protected to 250mA from -1V to Vcc + 1V  
• Low Vcc write inhibit : Vcc <= 1.4V  
• Compatible with JEDEC standard  
- Pinout and software compatible to single power supply Flash  
• Fully compatible with MX29LV400B/MX29LV800B/MX29LV160B device  
PERFORMANCE  
• High Performance  
- Fast access time:45R (MX29LV400C and MX29LV800C only), 55R/70/90ns  
- Fast program time: 7us/word typical utilizing accelerate function  
- Fast erase time: 0.7s/sector, 15s/chip (typical, MX29LV160C)  
• Low Power Consumption  
- Low active read current: 10mA (typical) at 5MHz  
- Low standby current: 200nA (typical)  
• Minimum 100,000 erase/program cycle  
• 10 years data retention  
SOFTWARE FEATURES  
• Erase Suspend/ Erase Resume  
- Suspends sector erase operation to read data from or program data to another sector which is not being erased  
• Status Reply  
- Data# Polling &Toggle bits provide detection of program and erase operation completion  
• Support Common Flash Interface (CFI)  
HARDWARE FEATURES  
• Ready/Busy# (RY/BY#) Output  
- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion  
• Hardware Reset (RESET#) Input  
- Provides a hardware method to reset the internal state machine to read mode  
PACKAGE  
• 44-Pin SOP  
• 48-PinTSOP  
• 48-Ball CSP  
• All Pb-free devices are RoHS Compliant  
P/N:PM1300  
REV. 1.1, AUG. 17, 2006  
1
1234567...77

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