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MX29LV400CTXBI70R

更新时间： 2024-02-25 05:10:06

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旺宏电子 - Macronix		内存集成电路闪存
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77页	892K
描述
Flash, 256KX16, 70ns, PBGA48

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MX29LV400CTXBI70R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
最长访问时间：	70 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

MX29LV400CTXBI70R 数据手册

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MX29LV400C T/B

MX29LV800C T/B

MX29LV160C T/B

SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

FEATURES

GENERAL FEATURES

• Byte/Word mode switchable:

- 524,288 x8 / 262,144 x16 (MX29LV400C)

- 1,048,576 x8 / 524,288 x16 (MX29LV800C)

- 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 (MX29LV160C)

• Sector Structure

- 16K-Byte x 1, 8K-Byte x 2, 32K-Byte x 1

64K-Byte x 7 (MX29LV400C), 64K-Byte x 15 (MX29LV800C), 64K-Byte x 31 (MX29LV160C)

- Provides sector protect function to prevent program or erase operation in the protected sector

- Provides chip unprotect function to allow code changing

- Provides temporary sector unprotect function for code changing in previously protected sector

• Single Power Supply Operation

- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 250mA from -1V to Vcc + 1V

• Low Vcc write inhibit : Vcc <= 1.4V

• Compatible with JEDEC standard

- Pinout and software compatible to single power supply Flash

• Fully compatible with MX29LV400B/MX29LV800B/MX29LV160B device

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time:45R (MX29LV400C and MX29LV800C only), 55R/70/90ns

- Fast program time: 7us/word typical utilizing accelerate function

- Fast erase time: 0.7s/sector, 15s/chip (typical, MX29LV160C)

• Low Power Consumption

- Low active read current: 10mA (typical) at 5MHz

- Low standby current: 200nA (typical)

• Minimum 100,000 erase/program cycle

• 10 years data retention

SOFTWARE FEATURES

• Erase Suspend/ Erase Resume

- Suspends sector erase operation to read data from or program data to another sector which is not being erased

• Status Reply

- Data# Polling &Toggle bits provide detection of program and erase operation completion

• Support Common Flash Interface (CFI)

HARDWARE FEATURES

• Ready/Busy# (RY/BY#) Output

- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion

• Hardware Reset (RESET#) Input

- Provides a hardware method to reset the internal state machine to read mode

PACKAGE

• 44-Pin SOP

• 48-PinTSOP

• 48-Ball CSP

• All Pb-free devices are RoHS Compliant

P/N:PM1300

REV. 1.1, AUG. 17, 2006

12 3 4 5 6 7...77

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MX29LV400CTXBI-90	Macronix	4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	获取价格
MX29LV400CTXBI90G	Macronix	SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	获取价格
MX29LV400CTXBI-90G	Macronix	4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	获取价格
MX29LV400CTXBI90Q	Macronix	Flash, 256KX16, 90ns, PBGA48	获取价格
MX29LV400CTXBI90R	Macronix	Flash, 256KX16, 90ns, PBGA48	获取价格
MX29LV400CTXEC55Q	Macronix	SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	获取价格

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