Datasheet > 存储 > 闪存> MX29LV400CTXBI-70G

MX29LV400CTXBI-70G

更新时间： 2024-01-22 13:30:17

品牌	Logo	应用领域
旺宏电子 - Macronix		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
68页	889K
描述
4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

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MX29LV400CTXBI-70G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

MX29LV400CTXBI-70G 数据手册

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MX29LV400C T/B

4M-BIT[512Kx8/256Kx16]CMOSSINGLEVOLTAGE

3VONLYFLASHMEMORY

FEATURES

• Extended single - supply voltage range 2.7V to 3.6V

• 524,288 x 8/262,144 x 16 switchable

• Singlepowersupplyoperation

• Ready/Busy# pin (RY/BY#)

-Providesahardwaremethodofdetectingprogramor

eraseoperationcompletion

- 3.0V only operation for read, erase and program

operation

• Fully compatible with MX29LV400T/B device

• Fast access time: 55R/70/90ns

• Sectorprotection

- Hardware method to disable any combination of

sectors from program or erase operations

-Temporarysectorunprotectallowscodechangesin

previously locked sectors

• Lowpowerconsumption

- 30mA maximum active current

- 0.2uA typical standby current

• Commandregisterarchitecture

- Byte/word Programming (9us/11us typical)

- Sector Erase (Sector structure 16K-Byte x 1,

8K-Byte x 2, 32K-Byte x1, and 64K-Byte x7)

• Auto Erase (chip & sector) and Auto Program

-Automaticallyeraseanycombinationofsectorswith

Erase Suspend capability

• CFI (Common Flash Interface) compliant

- Flash device parameters stored on the device and

provide the host system to access

• 100,000minimumerase/programcycles

• Latch-up protected to 100mA from -1V to VCC+1V

• Boot Sector Architecture

- T = Top Boot Sector

- B = Bottom Boot Sector

• Package type:

- Automatically program and verify data at specified

address

- 44-pin SOP

- 48-pin TSOP

• Erasesuspend/EraseResume

- 48-ball CSP (6 x 8mm)

- Suspends sector erase operation to read data from,

orprogramdatato,any sectorthatisnotbeingerased,

then resumes the erase

- 48-ball CSP (4 x 6mm)

- All Pb-free devices are RoHS Compliant

• Compatibility with JEDEC standard

- Pinout and software compatible with single-power

supply Flash

• Status Reply

- Data# Polling & Toggle bit for detection of program

anderaseoperationcompletion

• 20 years data retention

GENERAL DESCRIPTION

The MX29LV400C T/B is a 4-mega bit Flash memory

organized as 512K bytes of 8 bits or 256K words of 16

bits. MXIC's Flash memories offer the most cost-effec-

tive and reliable read/write non-volatile random access

memory. The MX29LV400C T/B is packaged in 44-pin

SOP, 48-pinTSOP and 48-ball CSP. It is designed to be

reprogrammed and erased in system or in standard

EPROM programmers.

TTL level control inputs and fixed power supply levels

during erase and programming, while maintaining maxi-

mum EPROM compatibility.

MXIC Flash technology reliably stores memory contents

even after 100,000 erase and program cycles. The MXIC

cell is designed to optimize the erase and programming

mechanisms. In addition, the combination of advanced

tunnel oxide processing and low internal electric fields

for erase and program operations produces reliable cy-

cling. The MX29LV400C T/B uses a 2.7V~3.6V VCC

supply to perform the High Reliability Erase and auto

Program/Erase algorithms.

The standard MX29LV400C T/B offers access time as

fast as 55ns, allowing operation of high-speed micropro-

cessors without wait states. To eliminate bus conten-

tion, the MX29LV400C T/B has separate chip enable

(CE#) and output enable (OE#) controls.

The highest degree of latch-up protection is achieved

with MXIC's proprietary non-epi process. Latch-up pro-

tection is proved for stresses up to 100 milliamps on

address and data pin from -1V to VCC + 1V.

MXIC's Flash memories augment EPROM functionality

with in-circuit electrical erasure and programming. The

MX29LV400CT/B uses a command register to manage

this functionality. The command register allows for 100%

P/N:PM1155

REV. 1.5, APR. 24, 2006

12 3 4 5 6 7...68

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MX29LV400CTXBI70Q	Macronix	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PBGA48
MX29LV400CTXBI70R	Macronix	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PBGA48
MX29LV400CTXBI-90	Macronix	获取价格	4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CTXBI90G	Macronix	获取价格	SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CTXBI-90G	Macronix	获取价格	4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CTXBI90Q	Macronix	获取价格	Flash, 256KX16, 90ns, PBGA48
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MX29LV400CTXEC55Q	Macronix	获取价格	SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CTXEC-55Q	Macronix	获取价格	4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
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