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MX29LV400CBXBI70Q PDF预览

MX29LV400CBXBI70Q

更新时间： 2024-01-13 22:29:52
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
77页 892K
描述
Flash, 256KX16, 70ns, PBGA48

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MX29LV400CBXBI70Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FBGA, BGA48,6X8,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e3
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

MX29LV400CBXBI70Q 数据手册

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MX29LV400C T/B  
MX29LV800C T/B  
MX29LV160C T/B  
SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY  
FEATURES  
GENERAL FEATURES  
• Byte/Word mode switchable:  
- 524,288 x8 / 262,144 x16 (MX29LV400C)  
- 1,048,576 x8 / 524,288 x16 (MX29LV800C)  
- 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 (MX29LV160C)  
• Sector Structure  
- 16K-Byte x 1, 8K-Byte x 2, 32K-Byte x 1  
64K-Byte x 7 (MX29LV400C), 64K-Byte x 15 (MX29LV800C), 64K-Byte x 31 (MX29LV160C)  
- Provides sector protect function to prevent program or erase operation in the protected sector  
- Provides chip unprotect function to allow code changing  
- Provides temporary sector unprotect function for code changing in previously protected sector  
• Single Power Supply Operation  
- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations  
• Latch-up protected to 250mA from -1V to Vcc + 1V  
• Low Vcc write inhibit : Vcc <= 1.4V  
• Compatible with JEDEC standard  
- Pinout and software compatible to single power supply Flash  
• Fully compatible with MX29LV400B/MX29LV800B/MX29LV160B device  
PERFORMANCE  
• High Performance  
- Fast access time:45R (MX29LV400C and MX29LV800C only), 55R/70/90ns  
- Fast program time: 7us/word typical utilizing accelerate function  
- Fast erase time: 0.7s/sector, 15s/chip (typical, MX29LV160C)  
• Low Power Consumption  
- Low active read current: 10mA (typical) at 5MHz  
- Low standby current: 200nA (typical)  
• Minimum 100,000 erase/program cycle  
• 10 years data retention  
SOFTWARE FEATURES  
• Erase Suspend/ Erase Resume  
- Suspends sector erase operation to read data from or program data to another sector which is not being erased  
• Status Reply  
- Data# Polling &Toggle bits provide detection of program and erase operation completion  
• Support Common Flash Interface (CFI)  
HARDWARE FEATURES  
• Ready/Busy# (RY/BY#) Output  
- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion  
• Hardware Reset (RESET#) Input  
- Provides a hardware method to reset the internal state machine to read mode  
PACKAGE  
• 44-Pin SOP  
• 48-PinTSOP  
• 48-Ball CSP  
• All Pb-free devices are RoHS Compliant  
P/N:PM1300  
REV. 1.1, AUG. 17, 2006  
1
1234567...77

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与MX29LV400CBXBI70Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MX29LV400CBXBI-90 Macronix

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 		4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CBXBI90G Macronix

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 		SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CBXBI-90G Macronix

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 		4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV400CBXBI90Q Macronix

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 		Flash, 256KX16, 90ns, PBGA48
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 		Flash, 256KX16, 55ns, PBGA48
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