是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA48,6X8,32 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.62 |
最长访问时间: | 90 ns | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | TOP | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,31 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MX29LV160CTXEI90R | Macronix |
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Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48 | |
MX29LV160DBGBI70G | Macronix |
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16M-BIT [2M x 8 / 1M x 16] 3V SUPPLY FLASH MEMORY | |
MX29LV160DBGBI-70G | Macronix |
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Byte/Word mode switchable - 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 | |
MX29LV160DBTI70G | Macronix |
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16M-BIT [2M x 8 / 1M x 16] 3V SUPPLY FLASH MEMORY | |
MX29LV160DBTI-70G | Macronix |
获取价格 |
Byte/Word mode switchable - 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 | |
MX29LV160DBXBI70G | Macronix |
获取价格 |
16M-BIT [2M x 8 / 1M x 16] 3V SUPPLY FLASH MEMORY | |
MX29LV160DBXBI-70G | Macronix |
获取价格 |
Byte/Word mode switchable - 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 | |
MX29LV160DBXEI70G | Macronix |
获取价格 |
16M-BIT [2M x 8 / 1M x 16] 3V SUPPLY FLASH MEMORY | |
MX29LV160DBXEI-70G | Macronix |
获取价格 |
Byte/Word mode switchable - 2,097,152 x8 / 1,048,576 x16 | |
MX29LV160DBXGI70G | Macronix |
获取价格 |
16M-BIT [2M x 8 / 1M x 16] 3V SUPPLY FLASH MEMORY |