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MX25L8006EZUI-12G

更新时间: 2024-02-12 09:02:03
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
57页 1401K
描述
Flash, 4MX2, PDSO8, USON-8

MX25L8006EZUI-12G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SON包装说明:VSON, SOLCC8,.15,32
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:1.71
备用内存宽度:1最大时钟频率 (fCLK):86 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:S-PDSO-N8长度:4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:2功能数量:1
端子数量:8字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSON封装等效代码:SOLCC8,.15,32
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:0.6 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.00001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:4 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

MX25L8006EZUI-12G 数据手册

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MX25L8006E  
MX25L8006E  
3V, 8M-BIT [x 1/x 2]  
CMOS SERIAL FLASH MEMORY  
Key Features  
• Hold Feature  
• Low Power Consumption  
• Auto Erase and Auto Program Algorithms  
• Additional 512 bit secured OTP for unique identifier  
P/N: PM1613  
Rev. 1.6, August 28, 2017  
1

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