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MX25L3205DZNI-12G

更新时间： 2024-01-23 23:16:36

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旺宏电子 - Macronix		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
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16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

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MX25L3205DZNI-12G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	VSON, SOLCC8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	备用内存宽度：	1
最大时钟频率 (fCLK)：	86 MHz	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	长度：	8 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	2	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSON	封装等效代码：	SOLCC8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.8 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

MX25L3205DZNI-12G 数据手册

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MX25L1605D

MX25L3205D

MX25L6405D

16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

32M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

64M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

FEATURES

GENERAL

• Serial Peripheral Interface compatible -- Mode 0 and Mode 3

• 16M:16,777,216 x 1 bit structure or 8,388,608 x 2 bits (two I/O read mode) structure

32M:33,554,432 x 1 bit structure or 16,772,216 x 2 bits (two I/O read mode) structure

64M:67,108,864 x 1 bit structure or 33,554,432 x 2 bits (two I/O read mode) structure

• 512 Equal Sectors with 4K byte each (16Mb)

1024 Equal Sectors with 4K byte each (32Mb)

2048 Equal Sectors with 4K byte each (64Mb)

- Any Sector can be erased individually

• 32 Equal Blocks with 64K byte each (16Mb)

64 Equal Blocks with 64K byte each (32Mb)

128 Equal Blocks with 64K byte each (64Mb)

- Any Block can be erased individually

• Single Power Supply Operation

- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

• Low Vcc write inhibit is from 1.5V to 2.5V

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 86MHz serial clock (15pF + 1TTL Load) and 66MHz serial clock (30pF + 1TTL Load)

- Serial clock of two I/O read mode : 50MHz (15pF + TTL Load), which is equivalent to 100MHz

- Fast program time: 1.4ms(typ.) and 5ms(max.)/page (256-byte per page)

- Byte program time: 9us (typical)

-Continuouslyprogrammode(automaticallyincreaseaddressunderwordprogrammode)

- Fast erase time: 60ms(typ.) /sector (4K-byte per sector) ; 0.7s(typ.) /block (64K-byte per block); 14s(typ.) /chip for

16Mb, 25s(typ.) for 32Mb, and 50s(typ.) for 64Mb

• Low Power Consumption

- Low active read current: 25mA(max.) at 86MHz, 20mA(max.) at 66MHz and 10mA(max.) at 33MHz

- Low active programming current: 20mA (max.)

- Low active erase current: 20mA (max.)

- Low standby current: 20uA (max.)

-Deeppower-downmode1uA(typical)

• Typical 100,000 erase/program cycles

SOFTWAREFEATURES

• Input Data Format

- 1-byte Command code

• Advanced Security Features

- Block lock protection

The BP0-BP3 status bit defines the size of the area to be software protection against program and erase instructions

- Additional 512-bit secured OTP for unique identifier

• Auto Erase and Auto Program Algorithm

- Automatically erases and verifies data at selected sector

- Automatically programs and verifies data at selected page by an internal algorithm that automatically times the

program pulse widths (Any page to be programed should have page in the erased state first)

P/N:PM1290

REV. 1.4, OCT. 01, 2008

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