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MX25L1605ZMI-20

更新时间： 2024-01-30 02:08:33

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旺宏电子 - Macronix		闪存存储
页数	文件大小	规格书
44页	407K
描述
16M-BIT [x 1] CMOS SERIAL eLiteFlashTM MEMORY

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MX25L1605ZMI-20 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	VSON, SOLCC8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	50 MHz	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-XDSO-N8	JESD-609代码：	e3
长度：	8 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	1
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX1	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	VSON	封装等效代码：	SOLCC8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.038 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

MX25L1605ZMI-20 数据手册

MX25L1605ZM

Macronix NBit^TMMemory Family

16M-BIT [x 1] CMOS SERIAL eLiteFlash^TMMEMORY

FEATURES

GENERAL

- Automatically erases and verifies data at selected

• Serial Peripheral Interface (SPI) compatible -- Mode 0

and Mode 3

sector

- Automatically programs and verifies data at selected

page by an internal algorithm that automatically times

the program pulse widths (Any page to be programed

should have page in the erased state first)

• Status Register Feature

• 16,777,216 x 1 bit structure

• 32 Equal Sectors with 64K byte each

- Any sector can be erased

• Single Power Supply Operation

- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

• Low Vcc write inhibit is from 1.5V to 2.5V

• Electronic Identification

- JEDEC 2-byte Device ID

- RES command, 1-byte Device ID

- REMS command, ADD=00H will output the

manufacturer's ID first and ADD=01H will output device

ID first

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 50MHz serial clock (30pF + 1TTL

Load)

• Additional 4Kb sector independent from main memory

for parameter storage to eliminate EEPROM from

system

- Fast program time: 3ms/page (typical, 256-byte per

page)

- Fast erase time: 1s/sector (typical, 64K-byte per

sector) and 32s/chip (typical)

HARDWAREFEATURES

• SCLK Input

- Acceleration mode:

- Serial clock input

• SI Input

- Program time: 2.4ms/page (typical)

- Erase time: 0.8s/sector (typical) and 25s/chip

(typical)

- Serial Data Input

• SO/PO7

- Serial Data Output or Parallel mode Data output/input

• WP#/ACC Pin

• Low Power Consumption

- Low active read current: 30mA (max.) at 50MHz

- Low active programming current: 30mA (max.)

- Low active erase current: 38mA (max.)

- Low standby current: 50uA (max.)

-Deeppower-downmode1uA(typical)

- Hardware write protection and Program/erase accel-

eration

• HOLD# pin

- pause the chip without diselecting the chip (not for

paralled mode, please connect HOLD# pin toVCC dur-

ing parallel mode)

• Minimum 10K erase/program cycle for array

• Minimum 100K erase/program cycle for additional 4Kb

• PO0~PO6

SOFTWAREFEATURES

- for parallel mode data output/input

• PACKAGE

• Input Data Format

- 1-byte Command code

- 8-land SON (8x6mm)

• Auto Erase and Auto Program Algorithm

P/N:PM1291

REV. 1.0, MAY 16, 2006

12 3 4 5 6 7...44

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