Datasheet > 存储 > 闪存> MX25L1605DM2I-12G

MX25L1605DM2I-12G

更新时间： 2024-02-17 02:33:43

品牌	Logo	应用领域
旺宏电子 - Macronix		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
56页	994K
描述
16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MX25L1605DM2I-12G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.200 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
备用内存宽度：	1	最大时钟频率 (fCLK)：	86 MHz
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	5.28 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	2
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.16 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	5.23 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

MX25L1605DM2I-12G 数据手册

浏览型号MX25L1605DM2I-12G的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MX25L1605DM2I-12G的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MX25L1605DM2I-12G的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MX25L1605DM2I-12G的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MX25L1605DM2I-12G的Datasheet PDF文件第6页

MX25L1605D

MX25L3205D

MX25L6405D

16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

32M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

64M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

FEATURES

GENERAL

• Serial Peripheral Interface compatible -- Mode 0 and Mode 3

• 16M:16,777,216 x 1 bit structure or 8,388,608 x 2 bits (two I/O read mode) structure

32M:33,554,432 x 1 bit structure or 16,772,216 x 2 bits (two I/O read mode) structure

64M:67,108,864 x 1 bit structure or 33,554,432 x 2 bits (two I/O read mode) structure

• 512 Equal Sectors with 4K byte each (16Mb)

1024 Equal Sectors with 4K byte each (32Mb)

2048 Equal Sectors with 4K byte each (64Mb)

- Any Sector can be erased individually

• 32 Equal Blocks with 64K byte each (16Mb)

64 Equal Blocks with 64K byte each (32Mb)

128 Equal Blocks with 64K byte each (64Mb)

- Any Block can be erased individually

• Single Power Supply Operation

- 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

• Low Vcc write inhibit is from 1.5V to 2.5V

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 86MHz serial clock (15pF + 1TTL Load) and 66MHz serial clock (30pF + 1TTL Load)

- Serial clock of two I/O read mode : 50MHz (15pF + TTL Load), which is equivalent to 100MHz

- Fast program time: 1.4ms(typ.) and 5ms(max.)/page (256-byte per page)

- Byte program time: 9us (typical)

-Continuouslyprogrammode(automaticallyincreaseaddressunderwordprogrammode)

- Fast erase time: 60ms(typ.) /sector (4K-byte per sector) ; 0.7s(typ.) /block (64K-byte per block); 14s(typ.) /chip for

16Mb, 25s(typ.) for 32Mb, and 50s(typ.) for 64Mb

• Low Power Consumption

- Low active read current: 25mA(max.) at 86MHz, 20mA(max.) at 66MHz and 10mA(max.) at 33MHz

- Low active programming current: 20mA (max.)

- Low active erase current: 20mA (max.)

- Low standby current: 20uA (max.)

-Deeppower-downmode1uA(typical)

• Typical 100,000 erase/program cycles

SOFTWAREFEATURES

• Input Data Format

- 1-byte Command code

• Advanced Security Features

- Block lock protection

The BP0-BP3 status bit defines the size of the area to be software protection against program and erase instructions

- Additional 512-bit secured OTP for unique identifier

• Auto Erase and Auto Program Algorithm

- Automatically erases and verifies data at selected sector

- Automatically programs and verifies data at selected page by an internal algorithm that automatically times the

program pulse widths (Any page to be programed should have page in the erased state first)

P/N:PM1290

REV. 1.4, OCT. 01, 2008

12 3 4 5 6 7...56

下载PDF

与MX25L1605DM2I-12G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MX25L1605DMC-12G	Macronix	Flash Memory	获取价格
MX25L1605DMI-12G	Macronix	16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L1605DPI-12G	Macronix	16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L1605DZNI-12G	Macronix	16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L1605DZUI-12G	Macronix	16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L1605ZM	Macronix	16M-BIT [x 1] CMOS SERIAL eLiteFlashTM MEMORY	获取价格

与MX25L1605DM2I-12G相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MX25L1605DM2I-12G

MX25L1605DM2I-12G 技术参数

MX25L1605DM2I-12G 数据手册

与MX25L1605DM2I-12G相关器件

与MX25L1605DM2I-12G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MX25L1605DM2I-12G

MX25L1605DM2I-12G 技术参数

MX25L1605DM2I-12G 数据手册

与MX25L1605DM2I-12G相关器件

与MX25L1605DM2I-12G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？