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MURS360B

更新时间： 2024-02-18 13:03:35

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Ultrafast power diode

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MURS360B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, SMB, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.08
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	3 µA	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MURS360B 数据手册

MURS360B

Ultrafast power diode

Rev.02 - 1 August 2018

Product data sheet

1. General description

Ultrafast power diode in a SMB surface-mountable plastic package.

2. Features and beneﬁts

•

Low on-state loss

•

Low leakage current

Low thermal resistance

Surface-mountable package

Reduces switching losses in associated MOSFET or IGBT

3. Applications

•

Buck and Boost converter

Discontinuous Current Mode (DCM) Power Factor Correction (PFC)

Inverter freewheeling and protection diode

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_RRM

I_F(AV)

I_FRM

repetitive peak reverse

voltage

600

average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; T_lead≤ 86 °C;

Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

repetitive peak forward δ = 0.5 ; t_p= 25 μs; T_lead≤ 86 °C;

current

square-wave pulse

I_FSM

non-repetitive peak

forward current

t_p= 10 ms; T_j(init)= 25 °C; sine-wave pulse;

Fig. 4

100

110

t_p= 8.3 ms; T_j(init)= 25 °C; sine-wave pulse;

Symbol Parameter

Static characteristics

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_F

forward voltage

I_F= 3 A; T_j= 25 °C; Fig. 6

I_F= 3 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

1.3

0.88

1.05

Dynamic characteristics

t_rrreverse recovery time

I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 50 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

12 3 4 5 6 7...10

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