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MURS210T3G PDF预览

MURS210T3G

更新时间： 2024-09-21 04:13:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
ULTRAFAST RECTIFIERS 2 AMPERES, 50−100 VOLTS

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MURS210T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.03其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.74 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-60 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MURS210T3G 数据手册

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MURS205T3, MURS210T3  
Preferred Device  
Surface Mount  
Ultrafast Power Rectifiers  
Ideally suited for high voltage, high frequency rectification, or as  
free wheeling and protection diodes in surface mount applications  
where compact size and weight are critical to the system.  
http://onsemi.com  
Features  
• Small Compact Surface Mountable Package with J−Bend Leads  
• Rectangular Package for Automated Handling  
ULTRAFAST RECTIFIERS  
2 AMPERES, 50−100 VOLTS  
• High Temperature Glass Passivated Junction  
• Low Forward Voltage Drop (0.74 V Max @ 2.0 A, T = 150°C)  
J
• Pb−Free Packages are Available  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 95 mg (Approximately)  
SMB  
CASE 403A  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAM  
• Polarity: Polarity Band Indicates Cathode Lead  
MAXIMUM RATINGS  
AYWW  
U2x G  
G
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
V
V
RRM  
V
RWM  
DC Blocking Voltage  
MURA205T3  
MURA210T3  
V
50  
100  
R
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
F(AV)  
@ T = 150°C  
1.0  
2.0  
L
WW = Work Week  
U2x = Device Code  
@ T = 125°C  
L
Non-Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
50  
x= A for MURS205T3  
= B for MURS210T3  
= Pb−Free Package  
FSM  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating Junction Temperature  
T
−60 to +175  
°C  
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction−to−Lead  
R
q
JL  
13  
°C/W  
(T = 25°C)  
L
MURS205T3  
SMB  
2500 Tape & Reel  
2500 Tape & Reel  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
MURS205T3G  
SMB  
(Pb−Free)  
MURS210T3  
SMB  
2500 Tape & Reel  
2500 Tape & Reel  
MURS210T3G  
SMB  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 1  
MURS205T3/D  
1234

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MURS210T3G 替代型号

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