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MURF1030CT PDF预览

MURF1030CT

更新时间： 2024-02-26 11:47:22
品牌 Logo 应用领域
DIOTECH 超快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 993K
描述
SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER

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MURF1030CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MURF1030CT 数据手册

 浏览型号MURF1030CT的Datasheet PDF文件第2页 
MURF1005CT THRU MURF1060CT  
SUPER FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts  
Forward Current - 10.0 Ampere  
FEATURES  
ITO-220AB  
● The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
.138(3.5)  
.122(3.1)  
.118(3.0)  
.102(2.6)  
.189(4.8)  
.173(4.4)  
.118(3.0)  
.106(2.7)  
● Super fast switching for high efficiency  
● Low reverse leakage  
.406(10.3)  
.386(9.8)  
● High forward surge current capability  
● High temperature soldering guaranteed:  
250 C/10 seconds,0.25”(6.35mm) from case  
.610(15.5)  
.571(14.5)  
.157(4.0)  
.142(3.6)  
MECHANICAL DATA  
● Case: JEDEC ITO-220AB molded plastic body  
● Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
● High temperature soldering guaranteed:  
250oC/10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case  
● Polarity: As marked  
● Mounting Position: Any  
● Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
● Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
.071(1.8)  
.055(1.4)  
.571(14.5)  
.531(13.5)  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.059(1.5)  
.043(1.1)  
.030(0.76)  
.020(0.51)  
.112(2.84)  
.088(2.24)  
.030(0.76)  
.020(0.51)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
PIN 1 -  
PIN 3 -  
+
PIN 2  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
MURF  
1020CT  
MURF  
MURF  
MURF  
MURF  
MURF  
MURF  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1005CT 1010CT 1015CT  
1030CT 1040CT 1060CT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
150  
105  
200  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
V
V
R
V
R(RMS)  
V
RMS Reverse Voltage  
140  
10  
V
A
Average Rectified Output Current  
O
I
@TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge  
Current 8.3ms Single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
FSM  
I
150  
A
FM  
V
Forward Voltage  
@IF = 5.0A  
0.95  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 125°C  
@TA = 25°C  
10  
400  
RM  
I
µA  
rr  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
t
35  
80  
50  
50  
nS  
pF  
°C  
j
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
C
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MURF1030CT-BP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220
MURF1030CTR THINKISEMI

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MURF1040 MDD

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 		暂无描述
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 		TO-220F

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