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MUR460L PDF预览

MUR460L

更新时间： 2024-09-23 19:41:27
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 121K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201,

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MUR460L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.15
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.35 V
JEDEC-95代码：DO-201JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MUR460L 数据手册

 浏览型号MUR460L的Datasheet PDF文件第2页 
MUR420L ... MUR460L  
MUR420L ... MUR460L  
IFAV = 4 A  
VRRM = 200...600 V  
IFSM = 110/125 A  
VF  
< 1.28 V  
Superfast Efficient Rectifier Diodes  
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad  
Tjmax = 150°C  
trr  
< 60ns  
Version 2016-12-19  
Typical Applications  
Typische Anwendungen  
Gleichrichtung hoher Frequenzen  
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad  
Standardausführung 1)  
~DO-201  
Rectification of higher frequencies,  
High efficient switching stages  
Commercial grade 1)  
Ø 4.5+0.1  
-0.3  
Features  
Besonderheiten  
Budget version of  
MUR420..460 series  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Budget-Version der  
MUR420...MUR460 Reihe  
R
Konform zu RoHS, REACH,  
V
Konfliktmineralien 1)  
Mechanical Data 1)  
Taped in ammo pack  
Weight approx.  
Mechanische Daten 1)  
1700  
1.0 g  
Gegurtet in Ammo-Pack  
Gewicht ca.  
Ø 1.2±0.05  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL N/A  
Gehäusematerial  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
MUR420L  
MUR440L  
MUR460L  
200  
400  
600  
200  
400  
600  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
4 A 3)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
25 A 3)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
110 A  
125 A  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
TA = 25°C  
78 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Characteristics  
Kennwerte  
< 10 µA  
Leakage current  
Sperrstrom  
VR = VRRM  
Tj = 25°C  
IR  
IR  
Tj = 100°C  
< 100 µA  
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
RthA  
< 20 K/W 3)  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
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