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MUR1620

更新时间： 2024-09-26 14:52:59
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描述
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MUR1620 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：SUPER FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.975 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MUR1620 数据手册

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®
MUR1600 – MUR1660  
16A GLASS PASSIVATED SUPERFAST RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
B
Superfast 35nS and 50nS Recovery Time  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
TO-220A  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
13.90  
9.80  
2.54  
3.56  
12.70  
0.51  
3.55 Ø  
5.75  
4.16  
2.03  
0.30  
1.14  
4.83  
Max  
15.90  
10.70  
3.43  
Soft Recovery Characteristics  
G
A
E
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
PIN1  
3
4.56  
D
14.73  
0.96  
F
G
H
I
4.09 Ø  
6.85  
Mechanical Data  
F
Case: TO-220A, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
5.00  
P
J
2.92  
K
L
0.65  
I
1.40  
P
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
Case  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
MUR  
1600  
MUR  
1610  
MUR  
1615  
MUR  
1620  
MUR  
1630  
MUR  
1640  
MUR  
1660  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
150  
105  
200  
300  
210  
400  
280  
600  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
140  
16  
420  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
Forward Voltage  
@IF = 16A  
VFM  
IRM  
0.975  
1.3  
1.5  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TC = 25°C  
@TC = 100°C  
10  
500  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
35  
50  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
CJ  
175  
145  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
RθJA  
RθJC  
73  
1.2  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: March, 2014  
www.wontop.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MUR1620-28F-29CT HDSEMI

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 		TO-220 Plastic-Encapsulate Diodes
MUR1620AC ASEMI

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 		MUR1620AC（SF1602A）【ASEMI】MUR1640AC(SF1604A)MU
MUR1620AT THINKISEMI

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MUR1620BC BL Galaxy Electrical

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MUR1620C LGE

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