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MUR160S

更新时间： 2024-01-26 14:32:09
品牌 Logo 应用领域
海湾 - GULFSEMI 二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
3页 96K
描述
ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 1.0A

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MUR160S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.03
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MUR160S 数据手册

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MUR105S THRU MUR1100S  
ULTRAFAST EFFICIENT  
PLASTIC SILICON RECTIFIER  
Voltage: 50 to 1000V  
Current: 1.0A  
DO – 41\DO – 204AL  
FEATURE  
Low power loss  
High surge capability  
Glass passivated chip junction  
Ultra-fast recovery time for high efficiency  
High temperature soldering guaranteed  
250℃/10sec/0.375″lead length at 5 lbs tension  
MECHANICAL DATA  
Terminal：Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case：Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity：color band denotes cathode  
Mounting position：any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,  
for capacitive load, derate current by 20%)  
MUR MUR MUR MUR MUR MUR MUR  
Symbol  
MUR  
units  
105S 110S 120S 130S 140S 160S 180S 1100S  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8" lead length at Ta =55°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at  
Rated forward current  
If(av)  
Ifsm  
Vf  
1.0  
35.0  
1.25  
A
A
V
0.875  
1.75  
10.0  
Maximum DC Reverse Current Ta =25°C  
Ir  
µA  
At rated DC blocking voltage  
Ta =125°C  
100.0  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Trr  
Cj  
25  
27  
50  
75  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 2)  
25  
℃
(Note 3)  
Junction  
Rth(ja)  
Tstg, Tj  
50  
/W  
Storage  
and  
Operating  
-55 to +150  
°C  
Temperature  
Note:  
1. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8″lead length, P.C. Board Mounted  
123

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