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MUN5130DW1T3

更新时间: 2024-09-21 14:28:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 220K
描述
100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-01, 6 PIN

MUN5130DW1T3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):3
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MUN5130DW1T3 数据手册

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