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MUN5130DW1T2

更新时间: 2024-01-25 05:49:52
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 220K
描述
100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MUN5130DW1T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.73Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):3JESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:0.15 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

MUN5130DW1T2 数据手册

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