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MUN2232T1

更新时间： 2024-02-12 00:07:44
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 158K
描述
Bias Resistor Transistor

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MUN2232T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-59包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.77
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.338 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MUN2232T1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistors  
NPN Silicon Surface Mount Transistors  
MUN2211T1  
SERIES  
with Monolithic Bias Resistor Network  
NPN SILICON  
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and  
its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a  
single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a  
series base resistor and a base–emitter resistor. The BRT eliminates these indi-  
vidual components by  
BIAS RESISTOR  
TRANSISTORS  
3
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system  
cost and board space. The device is housed in the SC–59 package which is  
designed for low power surface mount applications.  
• Simplifies Circuit Design  
2
1
SC–59  
CASE 318D, STYLE 1  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
PIN 3  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
R1  
R2  
PIN 2  
• ESD Rating – Human Body Model: Class 1  
BASE  
ESD Rating – Machine Model: Class B  
(INPUT)  
PIN 1  
EMITTER  
• The SC–59 package can be soldered using wave or reflow. The modified  
gull–winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the  
possibility of damage to the die.  
(GROUND)  
• Available in 8 mm embossed tape and reel  
Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel.  
MARKINGDIAGRAM  
DEVICE MARKING INFORMATION  
*See specific marking information in the device marking table on page 2 of this data sheet.  
8X  
M
8X = Specific Device Code*  
M = Date Code  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Rating  
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
VCEO  
50  
Vdc  
I
C
100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
TA = 25°C  
P
230(Note 1)  
338(Note 2)  
1.8 (Note 1)  
2.7 (Note 2)  
540(Note 1)  
370(Note 2)  
264(Note 1)  
287(Note 2)  
–55 to +150  
mW  
D
Derate above 25°C  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance –  
Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance –  
Junction-to-Lead  
RθJA  
RθJL  
Junction and Storage  
Temperature Range  
TJ, Tstg  
1. FR–4 @ Minimum Pad  
2. FR–4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
MUN2211T1 Series–1/11  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MUN2232T1G ONSEMI

获取价格

 		NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2232T3 ONSEMI

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN
MUN2233 WEITRON

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