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MUN2111

更新时间： 2024-01-28 14:27:57

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WEITRON		晶体晶体管
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12页	270K
描述
Bias Resistor Transistor PNP Silicon

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MUN2111 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.73
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1:1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

MUN2111 数据手册

MUN2111 Series

Bias Resistor Transistor

PNP Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

SC-59

( T =25 C unless otherwise noted)

Maximum Ratings

Value

Unit

Vdc

Rating

Collector-Emitter Voltage

Symbol

CEO

CBO

Vdc

Collector-Base Voltage

Collector Current-Continuous

mAdc

100

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation FR-5 Board

(1)TA=25 C

230

mW/ C

C/W

Derate above 25 C

1.8

(1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

540

θJA

-55 to +150

Junction and Storage,Temperature Range

1.FR-4 @ minimum pad

J,Tstg

Device Marking and Resistor Values

Device

Marking

R1(K)

R2(K)

Device

Marking

R1(K)

R2(K)

MUN2111

2.2

4.7

100

MUN2131

2.2

MUN2112

MUN2113

MUN2114

MUN2115

MUN2116

MUN2130

4.7

100

MUN2132

MUN2133

MUN2134

MUN2136

MUN2137

MUN2140

4.7

1.0

WEITR O N

htt p: // w ww . w e itr on. c om. tw

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