Datasheet > 晶体管 > IGBT> MUBW15-12A6K

MUBW15-12A6K

更新时间： 2024-09-20 03:48:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体转换器晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
8页	197K
描述
Converter - Brake - Inverter Module (CBI1)

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MUBW15-12A6K 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数：	25	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.15
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	19 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X25
JESD-609代码：	e3	元件数量：	7
端子数量：	25	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	350 ns
标称接通时间 (ton)：	90 ns	VCEsat-Max：	3.4 V
Base Number Matches：	1

MUBW15-12A6K 数据手册

MUBW 15-12A6K

Converter - Brake - Inverter Module (CBI1)

NPT IGBT

ThreePhase

Rectifier

BrakeChopper

ThreePhase

Inverter

V_RRM= 1600V

I_DAVM25= 130 A

I_FSM= 300 A

V_CES= 1200 V V_CES= 1200 V

I_C25= 19 A

V_CE(sat)= 2.9 V

I_C25= 19 A

V_CE(sat)= 2.9 V

Application: AC motor drives with

Input Rectifier Bridge D8 - D13

• Input from single or three phase grid

• Three phase synchronous or

• asynchronous motor

• electric braking operation

• UL registered E72873

Symbol

V_RRM

Conditions

Maximum Ratings

1600

I_FAV

I_DAVM

I_FSM

T_C= 80°C; sine 180°

bridgeoutputcurrent;T_C=80°C;rectangular;d=1/3

T_VJ= 25°C; t = 10 ms; sine 50 Hz

320

Features

• High level of integration - only one power

semiconductor module required for the

whole drive

P_tot

T_C= 25°C

• Inverter with NPT IGBTs

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient

- fast switching

- short tail current

• Epitaxial free wheeling diodes with

Hiperfast and soft reverse recovery

• Industry standard package with insulated

copper base plate and soldering pins for

PCB mounting

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

V_F

I_R

I_F= 30 A; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.0 1.35

1.1

• Temperature sense included

V_R= V_RRM;T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.02 mA

0.4

R_thJC

R_thCH

(per diode)

1.4 K/W

K/W

0.45

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 8

12 3 4 5 6 7 8

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MUBW20-06A6	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
MUBW20-06A6	IXYS	获取价格	Converter - Brake - Inverter Module (CBI1)
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